全国SD卡大全

　　纵观目前全球的NAND Flash(闪存)的生产制造大厂，除了上文所说的三星(Samsung)，还有东芝(Toshiba)和现代(Hynix)。这其中三星和东芝这两家加起来已经占领了全世界接近9成的NAND Flash市场份额，所以目前的NAND Flash市场可以分为S阵营(Samsung阵营)和T阵营(Toshiba)这两大主要阵营。　　其实NAND Flash产品总共可以分为三大架构，分别是单层式储存格 (Single Level Cell 缩写 SLC)，包括三星(Samsung)、现代(Hynix)、美光(Micron)以及东芝(Toshiba)都是此技术使用者，第二种则是多层式储存格(Multi Level Cell 缩写 MLC)，目前有东芝(Toshiba)、瑞萨(Renesas)使用，不过三星将在2005第四季推出相关产品，最后则是英飞凌(Infineon)与赛芬半导体(Saifun Semiconductors)合资利用NROM技术所共同开发的多位储存格(Multi Bit Cell 缩写 MBC)。
　　MLC制程是由英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功的，其作用是将两个位的信息存入一个浮动栅(Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分)，然后利用不同电位(Level)的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写，假设以4种电压控制、1个晶体管可存取2 bits 的数据，若是控制8种电压就可以存取3 bits 的数据，使Flash 的容量大幅提升，类似Rambus的QRSL技术，通过精确控制浮动栅上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值(从00到11)。请看下图的SLC与MLC的制程对比图解。

　　当然不光是NOR型闪存在使用，东芝(Toshiba)在2003年2月推出第一款MLC型的NAND Flash，并接续2004年4月推出采用MLC技术的4Gbit与8Gbit NAND Flash，显然这对于本来就以容量见长的NAND闪存更是如虎添翼。
　　至于SLC技术与EEPROM相同，但在浮置闸极(Floating gate)与源极(Source gate)之中的氧化薄膜更薄，其数据的写入是透过对浮置闸极的电荷加电压，然后可以透过源极，即可将所储存的电荷消除，藉由这样的方式，便可储存1个个信息位，这种技术的单一位细胞方式能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于低硅效率(Silicon efficiency)的问题，必须要藉由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
　　我们可以将SLC制程与MLC制程来做一个对比，SLC架构是0和1两个充电值，而MLC架构可以一次储存4个以上的充电值，因此MLC架构可以有比较好的储存密度，再加上可利用比较老旧的生产程备来提高产品的容量，而无须额外投资生产设备，可以享有成本与良率的优势。
不过MLC制程也有着一些必然的缺点，那就是使用寿命不及SLC制程，MLC制程只能承受约1万次左右的读写，这个数字要低于SLC制程的10万次读写。另外读写速度，SLC制程比MLC制程要快3倍以上，再加上MLC制程对于电力的消耗也相对SLC制程要大。所以总体来说，这两种流行的制程工艺特点如下
SLC制程 优点：读、写速度快，耗电量更低，使用寿命为10万次左右
缺点：存储密度普通，容量超过1G后成品率极低，价格高
MLC制程 优点：存储密度高(缩减芯片体积35%)，4G容量以上全为MLC产品，价格低
缺点：读、写速度普通，耗电量比SLC大，使用寿命为1万次左右
我们从这两种闪存制程的技术参数对比中很容易可以看出各自的优、缺点。而且业内也有这样一种说法，只有在亚洲市场MLC制程的产品才比较流行，欧美市场则几乎清一色的全部都是SLC制程的产品。
再回到问题SD卡事件中，一些实力型的SD卡制造大厂，在采用新一代MLC制程闪存芯片生产SD卡时，马上就发现了MLC闪存的控制芯片在设计上出现的兼容性问题。他们通过与控制芯片厂商的合作，已经顺利的解决了新一代MLC闪存的兼容性问题。使得这些厂商所生产的SD闪存卡采用的控制芯片，均能稳定地支持MLC NOP=1的要求，不致产生数据流失(Data Loss)等质量问题。下文的拆解评测中，会为大家作详细的解释。

　　这次我们分别从全国三大城市(北京、广州、深圳)的零售终端市场上，采购了13大品牌共17款SD卡产品，这些17款产品涵盖了全国范围市场内消费者们能够买到的绝大部分品牌，采购的容量则均为目前最主流的1GB容量，这些品牌分别是：　　威刚(A-data)　　　2片　1G容量SD卡
宇瞻(Apacer)　　　1片　1G容量SD卡
鹰泰(EagleTec)　　1片　1G容量SD卡
盛创(KingMax)　　 1片　1G容量SD卡
金士顿(Kingston)　3片　1G容量SD卡
雷克莎(Lexar)　　 1片　1G容量SD卡
迈威(MAKWAY)　　　1片　512M容量SD卡 (注：采购时该品牌只有512M容量)
必恩威(PNY)　　　 1片　1G容量SD卡
劲永(PQI)　　　　 1片　1G容量SD卡
晟碟(SanDisk)　　 1片　1G容量SD卡
东芝(Toshiba)　　 2片　1G容量SD卡
创见(Transcend)　 1片　1G容量SD卡
勤茂(TwinMos)　　 1片　1G容量SD卡
品牌排名不分先后，以英文字母顺序排列
SD卡读、写速度测试软件为 ATTO benchmark，读卡器采用了鹰泰(EagleTec)的 28in1 超高速读卡器，型号ET-MRE2812U-D，主板采用Intel 865G芯片组，支持USB 2.0高速传输，操作系统为主流的Windows XP SP2 版。在为每款产品做完容量以及读、写速度测试后，我们还对每款产品做了毁灭性的拆解，分别以实物图为广大消费者们详细解说每款产品里面所采用的真材实料。

 

产品1：威刚(A-data)　1G　旧版　SD卡　　采购地点：广州 　　 采购价格：140元 　　 产　　地：台湾 　　 质　　保：5年质保 　　 官方网址：http://www.adata.com.tw 　　 防伪标识：免费查询电话号码-8008309869 　　　　　　　 短信查询号码-91603100 　　　　　　　 查询网址：www.crlmemory.com 　　 威刚作为台湾内存的知名品牌，于2001年推出自有品牌A-DATA，拥有自主的研发能力以及坚持自有的品牌行销策略，虽然A-DATA品牌只有短短的5年，但在业内成绩斐然，其产品线涵盖了内存、闪存卡(CF、SD等存储卡)、闪存盘三大系列。 　　 下为产品实物图片 　　 从下图可以看到，该产品的格式化后可用实际容量为952MB 　　 软件测试最高写入速度接近2.7M，最高读取速度为15.1M，此产品读取速度不错，写入速度较低。 威刚(A-data)1G旧版拆解后，我们可以看到，该SD卡产品为标准的控制芯片加Flash闪存芯片设计，其中控制芯片为慧荣(SMI)生产，而其所采用的RF编号Flash闪存芯片则为次品芯片，存在质量隐患，可能导致后果，1.闪存芯片内有坏块，使用数据保存不稳定，造成数据丢失。2.次品闪存芯片本身存在严重的电气性能不稳定问题，如电压电流不规范现象，这种情况可能导致烧卡及损坏设备。 产品2：威刚(A-data)　1G　新版　SD卡　　采购地点：广州 　　 采购价格：110元 　　 产　　地：台湾 　　 质　　保：5年质保 　　 官方网址：http://www.adata.com.tw/ 　　 防伪标识：免费查询电话号码-8008309869 　　　　　　　 短信查询号码-91603100 　　　　　　　 查询网址：http://www.crlmemory.com/ 　　 下为产品实物图片 　　 从下图可以看到，该产品的格式化后可用实际容量为952MB，与威刚旧版产品一样。 　　 软件测试最高写入速度3.1M，最高读取速度接近10M，此产品读、写速度普通。 威刚(A-data)1G新版拆解后，我们可以看到，该SD卡产品采用了控制芯片与Flash闪存芯片一体化的COB封装方式。　　注：COB(Chip on board)封装是指厂商为节省成本，没有采用标准的闪存芯片+控制芯片独立封装的形式，而是将闪存芯片和控制器芯片直接连接，封装于一体之内，并固定于印刷线路板上的生产工艺方式。 　　 由于该产品采用了COB封装方式，我们无法看到产品里面究竟采用了什么样元器件，而且上面也没有任何的产品标识，让人无法辨认产品，这种封装方式造成的结果就是如果产品损坏，根本无法维修，只能全部更换。 产品3：宇瞻(Apacer)　1G　60X　SD卡　　采购地点：深圳 　　 采购价格：100元 　　 产　　地：台湾 　　 质　　保：5年保固 　　 官方网址：http://www.apacer.com.cn/ 　　 防伪标识：有 　　 宇瞻公司创立于1997年，是全球著名的内存模块生产厂商，创立以来，一直致力于IT，数码存储方面的应用与服务，除了数码存储方面的产品，宇瞻在内存方面占也有一定的市场，宇瞻品牌的内存以不错的性价比，拥有部分稳定的用户群。 　　 下为产品实物图片 　　 宇瞻SD卡背面，直接印上了明确的唯一识别编码，可以供消费者们直接查询真伪。 　　 从下图可以看到，该产品的格式化后可用实际容量为971MB。 　　 软件测试最高写入速度3.5M，最高读取速度12.3M，此产品读、写速度普通。 宇瞻(Apacer) 1G 60X拆解后，我们可以看到，该SD卡产品为标准的控制芯片加Flash闪存芯片设计，其中控制芯片为擎泰(Skymedi)晶园封装，而Flash闪存芯片则是三星MLC制程，从闪存芯片编号上来看，它属于三星MLC制程63um的问题产品系列，不过到目前为止，倒是没有听说该品牌的SD卡出现批量的质量问题，相信以宇瞻的研发设计能力，已经解决了MLC的兼容性问题。